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具有低夾擊電阻之高功率金氧半場效電晶體的製造方法

富鼎先進電子股份有限公司

申請案號
092130342
公告號
200515587
申請日期
2003-10-30
申請人
富鼎先進電子股份有限公司
發明人
黃林鍾
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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