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使用槽口型閘極之具有局部SONOS結構之快閃記憶體元件以及其製造方法

三星電子股份有限公司

申請案號
092130670
公告號
200419788
申請日期
2003-11-03
申請人
三星電子股份有限公司
發明人
金相秀
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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使用槽口型閘極之具有局部SONOS結構之快閃記憶體元件以及其製造方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通