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形成凹槽閘極結構之方法

上海宏力半導體製造有限公司

申請案號
092130777
公告號
200516694
申請日期
2003-11-04
申請人
上海宏力半導體製造有限公司
發明人
許允埈
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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形成凹槽閘極結構之方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通