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在半導體裝置以犧牲氧化物形成金屬鑲嵌閘極之方法
高級微裝置公司
申請案號
092131375
公告號
200414373
申請日期
2003-11-10
申請人
高級微裝置公司
發明人
阿曼 希普列S
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/336
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在半導體裝置以犧牲氧化物形成金屬鑲嵌閘極之方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通