IP

利用離子佈植以薄化氧化層之領氧化層製程

茂德科技股份有限公司

申請案號
092131936
公告號
200516698
申請日期
2003-11-14
申請人
茂德科技股份有限公司
發明人
董明聖
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。

利用離子佈植以薄化氧化層之領氧化層製程 - 專利資訊 | NowTo 智財通