IP

金屬氧化半導體電晶體的製造方法與縮小閘極線寬的方法

旺宏電子股份有限公司

申請案號
092132225
公告號
200518164
申請日期
2003-11-18
申請人
旺宏電子股份有限公司
發明人
賴二琨
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。

金屬氧化半導體電晶體的製造方法與縮小閘極線寬的方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通