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具有不會發生凹陷(DIVOT)之淺溝槽隔離結構(STI)之半導體裝置及其製造方法

富士通半導體股份有限公司

申請案號
092132374
公告號
200416942
申請日期
2003-11-19
申請人
富士通半導體股份有限公司
發明人
大田裕之
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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具有不會發生凹陷(DIVOT)之淺溝槽隔離結構(STI)之半導體裝置及其製造方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通