IP

形成窄溝槽結構之方法及具有窄間距之閘極結構形成方法

華邦電子股份有限公司

申請案號
092132507
公告號
200518258
申請日期
2003-11-20
申請人
華邦電子股份有限公司
發明人
張文岳
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。

形成窄溝槽結構之方法及具有窄間距之閘極結構形成方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通