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含有摻雜高電介係數側壁間隔件之場效電晶體之汲極/源極延伸結構

格羅方德半導體公司

申請案號
092132864
公告號
200414374
申請日期
2003-11-24
申請人
格羅方德半導體公司
發明人
菲道 湯瑪斯
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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含有摻雜高電介係數側壁間隔件之場效電晶體之汲極/源極延伸結構 - 專利資訊 | NowTo 智財通