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具有高閘導通電壓及低導通電阻之異質結場效型半導體裝置與其製造方法

恩意西化合物裝置股份有限公司

申請案號
092133132
公告號
200416901
申請日期
2003-11-26
申請人
恩意西化合物裝置股份有限公司
發明人
尾藤康則
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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具有高閘導通電壓及低導通電阻之異質結場效型半導體裝置與其製造方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通