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雙鑲嵌結構與其形成方法,以及用以去除光阻與氧化物之化合物的蝕刻溶液

台灣積體電路製造股份有限公司

申請案號
092133646
公告號
200426952
申請日期
2003-12-01
申請人
台灣積體電路製造股份有限公司
發明人
李宙峰
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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雙鑲嵌結構與其形成方法,以及用以去除光阻與氧化物之化合物的蝕刻溶液 - 專利資訊 | NowTo 智財通