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專利資訊
雙鑲嵌結構與其形成方法,以及用以去除光阻與氧化物之化合物的蝕刻溶液
台灣積體電路製造股份有限公司
申請案號
092133646
公告號
200426952
申請日期
2003-12-01
申請人
台灣積體電路製造股份有限公司
發明人
李宙峰
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/4763
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