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利用特殊佈局方向之互補型金氧半場效電晶體製造方法

國立台灣大學

申請案號
092133791
公告號
200520142
申請日期
2003-12-02
申請人
國立台灣大學
發明人
袁鋒
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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利用特殊佈局方向之互補型金氧半場效電晶體製造方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通