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在低介電係數介電層上形成具有防反射性蓋層之方法

格羅方德半導體公司

申請案號
092133968
公告號
200416881
申請日期
2003-12-03
申請人
格羅方德半導體公司
發明人
路克　赫特馬
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

H01L21/31
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在低介電係數介電層上形成具有防反射性蓋層之方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通