IP

完全空乏之絕緣體上有矽（ＳＯＩ）裝置的區域性矽氧化（ＬＯＣＯＳ）隔離

英特爾股份有限公司

申請案號
092134912
公告號
200419669
申請日期
2003-12-10
申請人
英特爾股份有限公司
發明人
馬克　鮑爾
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

H01L21/31
查看申請人公司資訊

本站使用 Cookie 進行流量分析，以提供更好的使用體驗。

完全空乏之絕緣體上有矽（ＳＯＩ）裝置的區域性矽氧化（ＬＯＣＯＳ）隔離 - 專利資訊 | NowTo 智財通