IP
NowTo 智財通
EN
首頁
/
專利資訊
形成單側導體層及具有單側導體層之半導體元件的方法
南亞科技股份有限公司
申請案號
092134932
公告號
200520072
申請日期
2003-12-10
申請人
南亞科技股份有限公司
發明人
郭錦德
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/283
查看申請人公司資訊
本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。
拒絕
接受
×
形成單側導體層及具有單側導體層之半導體元件的方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通