IPC H01L21/283 專利列表
共 20 筆結果
半導體裝置的絕緣膜之形成方法
堀場製作所股份有限公司
案號 0931074662004-03-19IPC H01L21/283
半導體結構之製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931038292004-02-17IPC H01L21/283
一種毗連接觸元件結構及其製法
力晶半導體股份有限公司
案號 0931015772004-01-20IPC H01L21/283
於半導體裝置中形成閘極氧化物之方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0921353842003-12-15IPC H01L21/283
形成單側導體層及具有單側導體層之半導體元件的方法
南亞科技股份有限公司
案號 0921349322003-12-10IPC H01L21/283
製造薄膜型式低漏高Ｋ材質之方法
億恆科技股份公司
案號 0921332532003-11-26IPC H01L21/283
高壓金氧半導體電晶體之製作方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921328152003-11-21IPC H01L21/283
銅電鍍方法
中芯國際集成電路製造（上海）有限公司
案號 0921190652003-07-11IPC H01L21/283
擴散反射器、其製造方法、與包含其之顯示裝置
奇美電子股份有限公司
案號 0921180722003-07-02IPC H01L21/283
半導體積體組件中分佈接觸之製造方法
億恆科技股份公司
案號 0921173402003-06-25IPC H01L21/283
一種以鎳／銅金屬誘導橫向成長多晶矽薄膜的方法
國立台灣大學
案號 0921074452003-04-01IPC H01L21/283
於內連線中電鍍均質銅│錫合金以增進抗電致遷移能力
應用材料股份有限公司
案號 0921066942003-03-25IPC H01L21/283
電鍍裝置、電鍍杯及陰極環
大日本斯克琳製造股份有限公司
案號 0921066112003-03-25IPC H01L21/283
半導體元件之製造方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921048892003-03-07IPC H01L21/283
具有形成於半導體領域之不同金屬半導體部分之半導體裝置，及半導體裝置之製造方法
格羅方德半導體公司
案號 0921039932003-02-26IPC H01L21/283
半導體結構中接觸之製造方法及對應接觸
億恆科技股份公司
案號 0921034632003-02-19IPC H01L21/283
組件之製造方法及具金屬層與絕緣層之組件
英飛凌科技股份有限公司
案號 0921025992003-02-07IPC H01L21/283
降低半導體材料與電極接觸層間介面能階之製造方法
林瑞明
案號 0911382042002-12-31IPC H01L21/283
高介電質元件及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911358872002-12-11IPC H01L21/283
製造擬似金屬圖案的方法及其裝置
豪威科技股份有限公司
案號 0911358102002-12-11IPC H01L21/283