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場效應電晶體閘極結構之次微影製造方法、其場效應電晶體、其反向器及其反向器結構

英飛凌科技股份有限公司

申請案號
092134941
公告號
200416900
申請日期
2003-12-10
申請人
英飛凌科技股份有限公司
發明人
羅德格爾 費爾哈伯爾
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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場效應電晶體閘極結構之次微影製造方法、其場效應電晶體、其反向器及其反向器結構 - 專利資訊 | NowTo 智財通