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除去摻雜區上之自然氧化層的方法,以及使用此方法製造異質接合雙載子電晶體和雙載子互補式金氧半電晶體的方法
台灣積體電路製造股份有限公司
申請案號
092135185
公告號
200410318
申請日期
2003-12-12
申請人
台灣積體電路製造股份有限公司
發明人
李崑池
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/223
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