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IPC H01L21/223 專利列表

共 2 筆結果

除去摻雜區上之自然氧化層的方法，以及使用此方法製造異質接合雙載子電晶體和雙載子互補式金氧半電晶體的方法

台灣積體電路製造股份有限公司

案號 0921351852003-12-12IPC H01L21/223

半導體元件及其製造方法

飛思卡爾半導體公司

案號 0921039062003-02-25IPC H01L21/223

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