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專利資訊
於半導體裝置中形成閘極氧化物之方法
海力士半導體股份有限公司
申請案號
092135384
公告號
200423237
申請日期
2003-12-15
申請人
海力士半導體股份有限公司
發明人
趙炳熙
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/283
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