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專利資訊
具有不同厚度之閘氧化層之半導體元件的製造方法
華邦電子股份有限公司
申請案號
092136979
公告號
200522253
申請日期
2003-12-26
申請人
華邦電子股份有限公司
發明人
石坤桓
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/76
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