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專利資訊
在半導體裝置中形成穿隧氧化膜之方法
海力士半導體股份有限公司
申請案號
092137146
公告號
200507109
申請日期
2003-12-26
申請人
海力士半導體股份有限公司
發明人
李承撤
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/316
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