IP

在半導體裝置中形成穿隧氧化膜之方法

海力士半導體股份有限公司

申請案號
092137146
公告號
200507109
申請日期
2003-12-26
申請人
海力士半導體股份有限公司
發明人
李承撤
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。

在半導體裝置中形成穿隧氧化膜之方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通