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專利資訊
形成一低K值(介電常數)雙鑲嵌內連線結構之方法
應用材料股份有限公司
申請案號
092137178
公告號
200503166
申請日期
2003-12-26
申請人
應用材料股份有限公司
發明人
戴爾卡迪諾喬拉多A
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/768
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形成一低K值(介電常數)雙鑲嵌內連線結構之方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通