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沿組成疊層側壁有介電間隙壁之非揮發性記憶元件及其形成方法

旺宏電子股份有限公司

申請案號
092137262
公告號
200501336
申請日期
2003-12-29
申請人
旺宏電子股份有限公司
發明人
許富雄
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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沿組成疊層側壁有介電間隙壁之非揮發性記憶元件及其形成方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通