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具有溝渠形式裝置隔離層之半導體裝置的製造方法

海力士半導體股份有限公司

申請案號
092137296
公告號
200501263
申請日期
2003-12-29
申請人
海力士半導體股份有限公司
發明人
鄭台愚
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

H01L21/306
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