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以第ＩＩＩ族氮化物為主之覆晶積體電路及其製造方法

美商沃孚半導體有限公司

申請案號
092137492
公告號
200421615
申請日期
2003-12-30
申請人
美商沃孚半導體有限公司
發明人
麥席　蜜西拉
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

H01L29/778
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以第ＩＩＩ族氮化物為主之覆晶積體電路及其製造方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通