IPC H01L29/778 專利列表
共 7 筆結果
化合物半導體磊晶基板及其製造方法
住友化學工業股份有限公司
案號 0931008302004-01-13IPC H01L29/778
以第ＩＩＩ族氮化物為主之覆晶積體電路及其製造方法
美商沃孚半導體有限公司
案號 0921374922003-12-30IPC H01L29/778
化合物半導體磊晶基板及其製造方法
住友化學工業股份有限公司
案號 0921367592003-12-24IPC H01L29/778
高電子移動率磊晶基板
住友化學工業股份有限公司
案號 0921367242003-12-24IPC H01L29/778
化合物半導體磊晶基板及其製造方法
住友化學工業股份有限公司
案號 0921367232003-12-24IPC H01L29/778
半導體裝置
東芝股份有限公司
案號 0921362292003-12-19IPC H01L29/778
電壓可調式多段轉換互導放大高電子移動率電晶體
國立成功大學
案號 0921098052003-04-25IPC H01L29/778