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使用絕緣半導體轉移材料層做為通道材料之場效電晶體以及其製造方法

韓國電子通信研究院

申請案號
092137587
公告號
200522351
申請日期
2003-12-31
申請人
韓國電子通信研究院
發明人
金鉉卓
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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使用絕緣半導體轉移材料層做為通道材料之場效電晶體以及其製造方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通