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IPC H01L29/51 專利列表

共 2 筆結果

使用絕緣半導體轉移材料層做為通道材料之場效電晶體以及其製造方法

韓國電子通信研究院

案號 0921375872003-12-31IPC H01L29/51

利用金屬硫化物之半導體裝置結構

恩智浦美國公司

案號 0921242212003-09-02IPC H01L29/51

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