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一種在超薄絕緣層上覆矽而且具有增高式源∕汲極之互補金氧半導體及其製造方法

萬國商業機器公司

申請案號
093100051
公告號
200428638
申請日期
2004-01-02
申請人
萬國商業機器公司
發明人
保羅D 阿格內羅
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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一種在超薄絕緣層上覆矽而且具有增高式源∕汲極之互補金氧半導體及其製造方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通