IPC H01L27/01 專利列表
共 6 筆結果
一種在超薄絕緣層上覆矽而且具有增高式源∕汲極之互補金氧半導體及其製造方法
萬國商業機器公司
案號 0931000512004-01-02IPC H01L27/01
可承置被動元件之半導體承載板結構
全懋精密科技股份有限公司
案號 0921355222003-12-16IPC H01L27/01
具有已受應力的通道之場效電晶體及其製造方法
美商格芯（美國）集成電路科技有限公司
案號 0921333902003-11-27IPC H01L27/01
磁電裝置之合成反鐵磁性結構
艾爾斯賓科技公司
案號 0921316822003-11-12IPC H01L27/01
金屬絕緣半導體（ＭＩＳ）型半導體裝置及其製造方法
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921039362003-02-25IPC H01L27/01
用以製造併有薄膜電容器於其上的多層佈線基體之方法
新光電氣工業股份有限公司
案號 0911330752002-11-11IPC H01L27/01