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得知電荷轉換陣列電晶體特性及實際應力下老化程度之方法及電路與其在DRAM MOSFET陣列電晶體之實現

咕果公司

申請案號
093100162
公告號
200421353
申請日期
2004-01-05
申請人
咕果公司
發明人
喬賽佩 拉羅薩
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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得知電荷轉換陣列電晶體特性及實際應力下老化程度之方法及電路與其在DRAM MOSFET陣列電晶體之實現 - 專利資訊 | NowTo 智財通