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低閘極引發汲極漏電流金屬氧化半導體場效應電晶體之結構及其製造方法

英屬開曼群島商格芯公司

申請案號
093100591
公告號
200504887
申請日期
2004-01-09
申請人
英屬開曼群島商格芯公司
發明人
歐馬H 多庫馬契
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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低閘極引發汲極漏電流金屬氧化半導體場效應電晶體之結構及其製造方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通