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Ｎ型金氧半（ＮＭＯＳ）電晶體與互補式金氧半（ＣＭＯＳ）電晶體之製造方法

台灣積體電路製造股份有限公司

申請案號
093100871
公告號
200419697
申請日期
2004-01-14
申請人
台灣積體電路製造股份有限公司
發明人
陳佳麟
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

H01L21/70
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Ｎ型金氧半（ＮＭＯＳ）電晶體與互補式金氧半（ＣＭＯＳ）電晶體之製造方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通