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用以讀取與非揮發性記憶體單元陣列之非主動區域相鄰的非揮發性記憶體單元之改良方法及相關記憶體單元陣列
賽普拉斯半導體公司
申請案號
093100987
公告號
200414205
申請日期
2004-01-15
申請人
賽普拉斯半導體公司
發明人
夏大中
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
G11C16/02
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