IPC G11C16/02 專利列表
共 37 筆結果
在記憶體單元兩側之交錯施加脈衝
塞芬半導體有限公司
案號 0931080632004-03-24IPC G11C16/02
用以測試使用崩潰電壓之半導體記憶元之超薄氧化層的方法
美商賽諾西斯公司
案號 0931078482004-03-23IPC G11C16/02
程式化雙格記憶體裝置以於各格中儲存多個資料狀態之方法
賽普拉斯半導體公司
案號 0931072442004-03-18IPC G11C16/02
改良之自行升壓技術
桑迪士克科技公司
案號 0931057282004-03-04IPC G11C16/02
自動診斷並規劃快閃記憶體之方法、相關裝置、及其相關系統
創惟科技股份有限公司
案號 0931050172004-02-26IPC G11C16/02
半導體記憶裝置
羅姆股份有限公司
案號 0931045342004-02-24IPC G11C16/02
Ｐ型記憶單元組成之反或型記憶模組之操作方法
力旺電子股份有限公司
案號 0931022312004-01-30IPC G11C16/02
唯讀記憶體元件
三星電子股份有限公司
案號 0931011272004-01-16IPC G11C16/02
用以讀取與非揮發性記憶體單元陣列之非主動區域相鄰的非揮發性記憶體單元之改良方法及相關記憶體單元陣列
賽普拉斯半導體公司
案號 0931009872004-01-15IPC G11C16/02
快閃記憶體之程式化驗證方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0931003022004-01-06IPC G11C16/02
非揮發性半導體記憶裝置
瑞薩電子股份有限公司
案號 0921359342003-12-18IPC G11C16/02
程式化快閃記憶體單元之方法及使用同方法程式化「非及」快閃記憶體之方法
英迪股份有限公司
案號 0921359822003-12-18IPC G11C16/02
非揮發性記憶體中缺陷的區域調整方法及非揮發性記憶體系統
桑迪士克科技公司
案號 0921343782003-12-05IPC G11C16/02
判斷快閃記憶卡類型和插入的偵測方法
威盛電子股份有限公司
案號 0921334462003-11-27IPC G11C16/02
操作非揮發性記憶元件的方法
旺宏電子股份有限公司
案號 0921283842003-10-14IPC G11C16/02
儲存/讀取在非揮發性記憶體裝置的由連結模組所組成之鏈中的資料的方法
桑迪士克科技公司
案號 0921261102003-09-22IPC G11C16/02
高緊密非揮發性記憶體和其方法
桑迪士克科技公司
案號 0921261142003-09-22IPC G11C16/02
雙位元電介質記憶胞之陣列及讀取非揮發性記憶胞之改良預先充電方法
賽普拉斯半導體公司
案號 0921242912003-09-03IPC G11C16/02
資料寫入非揮發性記憶體
茂德科技股份有限公司
案號 0921242682003-09-02IPC G11C16/02
快閃記憶體之程式化、抹除以及讀取操作
力旺電子股份有限公司
案號 0921215502003-08-06IPC G11C16/02