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用以降低後段製程中紫外線引起之矽-氧化物-氮化物-氧化物-矽(SONOS)雙位元快閃記憶體裝置充電的紫外線阻障層
賽普拉斯半導體公司
申請案號
093101144
公告號
200418148
申請日期
2004-01-16
申請人
賽普拉斯半導體公司
發明人
郭明凡
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/8247
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用以降低後段製程中紫外線引起之矽-氧化物-氮化物-氧化物-矽(SONOS)雙位元快閃記憶體裝置充電的紫外線阻障層 - 專利資訊 | NowTo 智財通