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在一絕緣體上製造一應變的結晶層的方法、用於該方法的半導體結構及所製造的半導體結構

S O I TEC 絕緣層上矽科技公司

申請案號
093101401
公告號
200425293
申請日期
2004-01-19
申請人
S O I TEC 絕緣層上矽科技公司
發明人
塞梭 奧奈特
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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在一絕緣體上製造一應變的結晶層的方法、用於該方法的半導體結構及所製造的半導體結構 - 專利資訊 | NowTo 智財通