IPC H01L21/263 專利列表
共 5 筆結果
在一絕緣體上製造一應變的結晶層的方法、用於該方法的半導體結構及所製造的半導體結構
Ｓ Ｏ Ｉ ＴＥＣ 絕緣層上矽科技公司
案號 0931014012004-01-19IPC H01L21/263
蝕刻中止層之重作方法
友達光電股份有限公司
案號 0921200242003-07-22IPC H01L21/263
用於以雷射光束使半導體結晶化之方法及裝置
夏普股份有限公司
案號 0921131022003-05-14IPC H01L21/263
半導體裝置之製造方法
ＮＥＣ電子股份有限公司
案號 0921078402003-04-04IPC H01L21/263
半導體裝置及其製造方法
半導體能源研究所股份有限公司
案號 0921075422003-04-02IPC H01L21/263