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金氧半電晶體之高介電值閘極介電層的製造方法

宇機科技股份有限公司

申請案號
093101551
公告號
200525688
申請日期
2004-01-20
申請人
宇機科技股份有限公司
發明人
李隆盛
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

H01L21/76
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金氧半電晶體之高介電值閘極介電層的製造方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通