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用於在接觸窗(CW)孔活性離子蝕刻過程期間降低氧氣擴散至接點插塞的側壁結構及其製造方法

因芬奈昂技術股份有限公司

申請案號
093101850
公告號
200425401
申請日期
2004-01-28
申請人
因芬奈昂技術股份有限公司
發明人
莊豪仁
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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用於在接觸窗(CW)孔活性離子蝕刻過程期間降低氧氣擴散至接點插塞的側壁結構及其製造方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通