IP

製造具有包括形成於彼此沈積之金屬層組中之閘極之金屬氧化物半導體的半導體裝置之方法

恩智浦股份有限公司

申請案號
093102195
公告號
200503172
申請日期
2004-01-30
申請人
恩智浦股份有限公司
發明人
羅柏特 詹姆士 帕斯庫 藍得
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。

製造具有包括形成於彼此沈積之金屬層組中之閘極之金屬氧化物半導體的半導體裝置之方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通