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專利資訊
奈米MOSFET電晶體陣列及其製造方法
三星電子股份有限公司
申請案號
093102411
公告號
200503265
申請日期
2004-02-03
申請人
三星電子股份有限公司
發明人
葛哈茲爾 亞當L
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L29/68
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