IPC H01L29/68 專利列表
共 8 筆結果
具有嵌壁式源極和汲極區域極薄主體電晶體的結構與形成方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0931038622004-02-18IPC H01L29/68
奈米ＭＯＳＦＥＴ電晶體陣列及其製造方法
三星電子股份有限公司
案號 0931024112004-02-03IPC H01L29/68
具有動態握住電壓以供晶片上靜電放電防護之矽控整流器
財團法人工業技術研究院
案號 0921369322003-12-25IPC H01L29/68
具有多重閘極及應變的通道層之電晶體及其製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921209442003-07-31IPC H01L29/68
氮化鎵異質接面場效電晶體裝置及其製作方法
居家科技有限公司
案號 0921123892003-05-06IPC H01L29/68
使用多閘極電晶體的互補式金氧半電晶體反向器
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0921102172003-04-30IPC H01L29/68
可控制臨限電壓值之電晶體，及製造並使用該電晶體之方法
高級微裝置公司
案號 0921080692003-04-09IPC H01L29/68
高耐雪崩崩潰電壓元件之裝置，以及提高元件耐雪崩崩潰電壓之方法
華瑞股份有限公司
案號 0911373782002-12-25IPC H01L29/68