IP

避免在氧化區表面所生成之矽鍺層有不連續情形之方法,以及使用此方法製造異質接合雙載子電晶體和雙載子互補式金氧半電晶體的方法

台灣積體電路製造股份有限公司

申請案號
093102909
公告號
200425337
申請日期
2004-02-09
申請人
台灣積體電路製造股份有限公司
發明人
李崑池
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。

避免在氧化區表面所生成之矽鍺層有不連續情形之方法,以及使用此方法製造異質接合雙載子電晶體和雙載子互補式金氧半電晶體的方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通