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專利資訊
揮發性記憶體結構及其形成方法以及溝槽電容結構及其形成方法
茂德科技股份有限公司
申請案號
093103467
公告號
200512891
申請日期
2004-02-13
申請人
茂德科技股份有限公司
發明人
陳賜龍
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/8242
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