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半導體晶片中具有經減少之電壓相依性的高密度化合物金屬絕緣體金屬電容器

三星電子股份有限公司

申請案號
093103649
公告號
200425529
申請日期
2004-02-16
申請人
三星電子股份有限公司
發明人
爾俊 卡爾洛伊
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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半導體晶片中具有經減少之電壓相依性的高密度化合物金屬絕緣體金屬電容器 - 專利資訊 | NowTo 智財通