IPC H01L29/92 專利列表
共 11 筆結果
半導體晶片中具有經減少之電壓相依性的高密度化合物金屬絕緣體金屬電容器
三星電子股份有限公司
案號 0931036492004-02-16IPC H01L29/92
金屬絕緣體金屬電容器
昇陽電腦股份有限公司
案號 0931026812004-02-05IPC H01L29/92
製備半導體元件中之電容器的方法
美格納半導體有限公司
案號 0921311582003-11-07IPC H01L29/92
電容器及其製造方法
松下電器產業股份有限公司
案號 0921156722003-06-10IPC H01L29/92
可調整式電容器
特許半導體製造公司
案號 0921041462003-02-27IPC H01L29/92
在內連接系統中的電容器以及其製作方法
聯華電子股份有限公司
案號 0921027322003-02-11IPC H01L29/92
半導體元件之電容器及其形成方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911379672002-12-31IPC H01L29/92
MIM電容器之形成方法
南韓商啟方半導體有限公司
案號 0911377482002-12-27IPC H01L29/92
具氧化障壁層之電容器及其製造方法
海力士半導體股份有限公司
案號 0911368752002-12-20IPC H01L29/92
具有部分嵌埋型解耦合電容之半導體晶片
矽統科技股份有限公司
案號 0911345572002-11-27IPC H01L29/92
使用於低驅動電壓之鐵電電容製造方法
台灣積體電路製造股份有限公司
案號 0911343792002-11-26IPC H01L29/92