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具有嵌壁式源極和汲極區域極薄主體電晶體的結構與形成方法

台灣積體電路製造股份有限公司

申請案號
093103862
公告號
200509392
申請日期
2004-02-18
申請人
台灣積體電路製造股份有限公司
發明人
林俊杰
資料更新日
2026-04-04

IPC 分類

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具有嵌壁式源極和汲極區域極薄主體電晶體的結構與形成方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通