IP
NowTo 智財通
EN
首頁
/
專利資訊
具有嵌壁式源極和汲極區域極薄主體電晶體的結構與形成方法
台灣積體電路製造股份有限公司
申請案號
093103862
公告號
200509392
申請日期
2004-02-18
申請人
台灣積體電路製造股份有限公司
發明人
林俊杰
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L29/68
查看申請人公司資訊
本站使用 Cookie 進行流量分析,以提供更好的使用體驗。
拒絕
接受
×
具有嵌壁式源極和汲極區域極薄主體電晶體的結構與形成方法 - 專利資訊 | NowTo 智財通