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專利資訊
III-V族半導體之選擇性蝕刻方法及溶液
王永和
申請案號
093105099
公告號
200529309
申請日期
2004-02-27
申請人
王永和
發明人
王永和
資料更新日
2026-04-04
IPC 分類
H01L21/302
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